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ISL9N307AD3ST中文资料N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

ISL9N307AD3ST

功能描述

N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-25 23:00:00

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技术参数

  • 型号:

    ISL9N307AD3ST

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
3290
原装现货,当天可交货,原型号开票
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onsemi(安森美)
24+
TO263AB
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
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24+
TO-220
25000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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25000
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18000
原厂直接发货进口原装
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代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
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TO-252
30000
代理全新原装现货,价格优势
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06+
TO-252
12000
原装
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2025+
TO-252
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全新原厂原装产品、公司现货销售
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TO-252
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