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ISL9K3060G3数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF

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厂商型号

ISL9K3060G3

参数属性

ISL9K3060G3 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

功能描述

60A,600V,STEALTH™ 双二极管
DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

封装外壳

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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ISL9K3060G3规格书详情

描述 Description

ISL9K3060G3是经过优化的Stealth™双通道二极管,可在高频率的硬开关应用中实现低损耗性能。 STEALTH™ 系列在典型运行条件下,具备低反向恢复电流 (IRR) 和出色的软恢复特性。 该器件在电源及其他电源开关应用中用作续流或升压二极管。 低 IRR和短 ta 阶段可降低开关晶体管中的损耗。 软恢复可以减小振铃,扩大二极管不使用其他缓冲电路而运行的条件范围。 考虑将Stealth™ 二极管与SMPS IGBT配合使用,以更低成本提供最高效、最高功率密度的设计。

特性 Features

•Stealth 恢复,Trr=36 ns(需 IF=30 A)
•最大正向电压,VF=2.4 V(需 TC=25°C)
•600 V 反向电压和高可靠性
•雪崩能量额定值
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 不间断电源

简介

ISL9K3060G3属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的ISL9K3060G3二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ISL9K3060G3

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Type

    :Dual Common Cathode

  • IO(rec) Max (A)

    :30

  • trr Max (ns)

    :45

  • VRRM Max (V)

    :600

  • VFM Max (V)

    :2.4

  • IFSM Max (A)

    :70

  • IR Max (mA)

    :0.1

  • Package Type

    :TO-247-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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