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ISL9V3036S3S

EcoSPARKTM 300mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT

GeneralDescription TheISL9V3036D3S,ISL9V3036S3S,andISL9V3036P3arethenextgenerationIGBTsthatofferoutstandingSCIScapabilityinthespacesavingD-Pak(TO-252),aswellastheindustrystandardD²-Pak(TO-263)andTO-220plasticpackages.Thesedevicesareintendedforuseinautomoti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

ISL9V3036S3S

EcoSPARKTM 300mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

ISL9V3036S3S

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 360V 21A 150W TO263AB

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ISL9V3036S3ST

EcoSPARKTM 300mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT

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Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 360V 21A TO263AB

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产品属性

  • 产品编号:

    ISL9V3036S3S

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    EcoSPARK®

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.6V @ 4V,6A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/4.8µs

  • 测试条件:

    300V,1 千欧,5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D²PAK(TO-263)

  • 描述:

    IGBT 360V 21A 150W TO263AB

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更多ISL9V3036S3S供应商 更新时间2025-5-30 10:31:00