8A, 600V Stealth??Diode

General Description The ISL9R860PF2 is a Stealth™ diode optimized for low loss performance in high frequency hard switched applications. The Stealth™ family exhibits low reverse recovery current (IRRM) and exceptionally soft recovery under typical operating conditions. This device is intended fo

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Fairchild

仙童半导体

8A, 600V Stealth Diode

General Description The ISL9R860PF2 is a Stealth™ diode optimized for low loss performance in high frequency hard switched applications. The Stealth™ family exhibits low reverse recovery current (IRRM) and exceptionally soft recovery under typical operating conditions. This device is intended fo

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Samsung

三星

8A，600V，STEALTH™ 二极管

ISL9R860PF2是经过优化的Stealth™ 二极管，可在高频率的硬开关应用中实现低损耗性能。 STEALTH™ 系列在典型运行条件下，具备低反向恢复电流 (IRR) 和出色的软恢复特性。 该器件在电源及其他电源开关应用中用作续流或升压二极管。 低 IRR和短 ta 阶段可降低开关晶体管中的损耗。 软恢复可以减小振铃，扩大二极管不使用其他缓冲电路而运行的条件范围。 考虑将Stealth™ 二极管与SMPS IGBT配合使用，以更低成本提供最高效、最高功率密度的设计。 •Stealth 恢复，Trr=28 ns（需 IF= 8 A）\n•最大正向电压，VF=2.4 V（需 TC=25°C）\n•600 V 反向电压和高可靠性\n•雪崩能量额定值\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-220-2 整包；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F-2L

ONSEMI

安森美半导体