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ISL9N322AP3	文件：297 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 22mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：297 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
ISL9N322AP3	文件：140.13 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 文件：140.13 Kbytes 页数：11 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
ISL9N322AP3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ISL9R1560PF2	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO220F	ON 上传：深圳市芯立阳电子技术有限公司	ON
ISL9R1560S2	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	FAIRCHILD 仙童半导体上传：深圳市广弘电子有限公司	FAIRCHILD

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更多ISL9N322AP3供应商更新时间2026-1-22 14:49:00