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ISL9N306AS3ST	文件：205.81 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs General Description This device employs a new advanced trench MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance. Optimized for switching applications, this device improves the overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher switching fre 文件：205.81 Kbytes 页数：11 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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更多ISL9N306AS3ST供应商更新时间2025-10-6 16:36:00