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ISL9N306AS3ST规格书详情
General Description
This device employs a new advanced trench MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance.
Optimized for switching applications, this device improves the overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher switching frequencies.
特性 Features
• Fast switching
• rDS(ON) = 0.0052Ω (Typ), VGS = 10V
• rDS(ON) = 0.0085Ω (Typ), VGS = 4.5V
• Qg (Typ) = 30nC, VGS = 5V
• Qgd (Typ) = 11nC
• CISS (Typ) = 3400pF
Applications
• DC/DC converters
产品属性
- 型号:
ISL9N306AS3ST
- 功能描述:
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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FAIRCHILD |
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询价 | ||
仙童 |
06+ |
TO-263 |
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原装 |
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FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO-263 |
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FAIRCHILD |
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FAIRCHILD/仙童 |
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FAIRCHILD |
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