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ISL9N306AS3ST中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

ISL9N306AS3ST
厂商型号

ISL9N306AS3ST

功能描述

N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

文件大小

205.81 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-30 11:16:00

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ISL9N306AS3ST规格书详情

General Description

This device employs a new advanced trench MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance.

Optimized for switching applications, this device improves the overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher switching frequencies.

Features

• Fast switching

• rDS(ON) = 0.0052Ω (Typ), VGS = 10V

• rDS(ON) = 0.0085Ω (Typ), VGS = 4.5V

• Qg (Typ) = 30nC, VGS = 5V

• Qgd (Typ) = 11nC

• CISS (Typ) = 3400pF

Applications

• DC/DC converters

产品属性

  • 型号:

    ISL9N306AS3ST

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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