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ISL9N312AD3ST	文件：986.91 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Advanced Mode Power MOSFET Features  VDS= 40V, ID= 150A RDS(ON) 文件：986.91 Kbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
ISL9N312AD3ST	文件：275.8 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 文件：275.8 Kbytes 页数：11 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
ISL9N312AD3	文件：275.8 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 文件：275.8 Kbytes 页数：11 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
ISL9R1560PF2	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO220F	ON 上传：深圳市芯立阳电子技术有限公司	ON
ISL9R1560S2	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	Fairchild 仙童半导体上传：深圳市广弘电子有限公司	Fairchild

详细参数

型号：
ISL9N312AD3ST
功能描述：
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多ISL9N312AD3ST供应商更新时间2025-12-22 17:12:00

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