ISL9N2357D3ST技术资料参数供应商报价-114ic电子网

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ISL9N2357D3ST	文件：986.91 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Advanced Mode Power MOSFET Features VDS=40V,ID=150A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
ISL9N2357D3ST	文件：260.35 Kbytes Page：9 Pages	30V, 0.007 Ohm, 35A, N-Channel UltraFET Trench Power MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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ISL9N2357D3ST

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N-channel Advanced Mode Power MOSFET

Features VDS=40V,ID=150A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

Bychip

ISL9N2357D3ST

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30V, 0.007 Ohm, 35A, N-Channel UltraFET Trench Power MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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更多ISL9N2357D3ST供应商更新时间2025-7-25 11:04:00