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ISL9N303AS3ST	文件：269.83 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2m? GeneralDescription ThisdeviceemploysanewadvancedtrenchMOSFETtechnologyandfeatureslowgatechargewhilemaintaininglowon-resistance. Optimizedforswitchingapplications,thisdeviceimprovestheoverallefficiencyofDC/DCconvertersandallowsoperationtohigherswitchingfre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
ISL9N303AS3	文件：269.83 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelLogicLevelUltraFETTrenchMOSFETs30V,75A,3.2m? GeneralDescription ThisdeviceemploysanewadvancedtrenchMOSFETtechnologyandfeatureslowgatechargewhilemaintaininglowon-resistance. Optimizedforswitchingapplications,thisdeviceimprovestheoverallefficiencyofDC/DCconvertersandallowsoperationtohigherswitchingfre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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ISL9N303AS3ST

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N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2m?

GeneralDescription ThisdeviceemploysanewadvancedtrenchMOSFETtechnologyandfeatureslowgatechargewhilemaintaininglowon-resistance. Optimizedforswitchingapplications,thisdeviceimprovestheoverallefficiencyofDC/DCconvertersandallowsoperationtohigherswitchingfre

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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ISL9N303AS3

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N-ChannelLogicLevelUltraFETTrenchMOSFETs30V,75A,3.2m?

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详细参数

型号：
ISL9N303AS3ST
功能描述：
MOSFET N-Ch UltraFET Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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