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ISL9N303AP3	文件：297.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.2mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISL9N303AP3	文件：269.83 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelLogicLevelUltraFETTrenchMOSFETs30V,75A,3.2m? GeneralDescription ThisdeviceemploysanewadvancedtrenchMOSFETtechnologyandfeatureslowgatechargewhilemaintaininglowon-resistance. Optimizedforswitchingapplications,thisdeviceimprovestheoverallefficiencyofDC/DCconvertersandallowsoperationtohigherswitchingfre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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ISL9N303AP3

文件：297.24 Kbytes

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.2mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

ISL9N303AP3

文件：269.83 Kbytes

Page：11 Pages

N-ChannelLogicLevelUltraFETTrenchMOSFETs30V,75A,3.2m?

GeneralDescription ThisdeviceemploysanewadvancedtrenchMOSFETtechnologyandfeatureslowgatechargewhilemaintaininglowon-resistance. Optimizedforswitchingapplications,thisdeviceimprovestheoverallefficiencyofDC/DCconvertersandallowsoperationtohigherswitchingfre

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

详细参数

型号：
ISL9N303AP3_Q
功能描述：
MOSFET N-Ch UltraFET Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多ISL9N303AP3_Q供应商更新时间2025-5-17 10:32:00

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