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ISL70020SEH	文件：521.659 Kbytes Page：13 Pages	40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors Features • Very low rDS(ON) 3.5mΩ (typical) • Ultra low total gate charge 19nC (typical) • ISL70020SEH radiation acceptance testing ○ High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si) ○ Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si) • ISL73020SEH radiation acceptance testing ○ Low dose rate (0.01rad 文件：521.659 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
ISL70020SEH	文件：522.799 Kbytes Page：13 Pages	40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors Features • Very low rDS(ON) 3.5mΩ (typical) • Ultra low total gate charge 19nC (typical) • ISL70020SEH radiation acceptance testing ○ High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si) ○ Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si) • ISL73020SEH radiation acceptance testing ○ Low dose rate (0.01rad 文件：522.799 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
ISL70020SEH_V01	文件：522.799 Kbytes Page：13 Pages	40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors Features • Very low rDS(ON) 3.5mΩ (typical) • Ultra low total gate charge 19nC (typical) • ISL70020SEH radiation acceptance testing ○ High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si) ○ Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si) • ISL73020SEH radiation acceptance testing ○ Low dose rate (0.01rad 文件：522.799 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
ISL70020SEHL/PROTO	文件：521.659 Kbytes Page：13 Pages	40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors Features • Very low rDS(ON) 3.5mΩ (typical) • Ultra low total gate charge 19nC (typical) • ISL70020SEH radiation acceptance testing ○ High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si) ○ Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si) • ISL73020SEH radiation acceptance testing ○ Low dose rate (0.01rad 文件：521.659 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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ISL70020SEHML	文件：521.659 Kbytes Page：13 Pages	40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors Features • Very low rDS(ON) 3.5mΩ (typical) • Ultra low total gate charge 19nC (typical) • ISL70020SEH radiation acceptance testing ○ High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si) ○ Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si) • ISL73020SEH radiation acceptance testing ○ Low dose rate (0.01rad 文件：521.659 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
ISL70020SEHMX	文件：521.659 Kbytes Page：13 Pages	40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors Features • Very low rDS(ON) 3.5mΩ (typical) • Ultra low total gate charge 19nC (typical) • ISL70020SEH radiation acceptance testing ○ High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si) ○ Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si) • ISL73020SEH radiation acceptance testing ○ Low dose rate (0.01rad 文件：521.659 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
ISL70020SEHX/SAMPLE	文件：521.659 Kbytes Page：13 Pages	40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors Features • Very low rDS(ON) 3.5mΩ (typical) • Ultra low total gate charge 19nC (typical) • ISL70020SEH radiation acceptance testing ○ High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si) ○ Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si) • ISL73020SEH radiation acceptance testing ○ Low dose rate (0.01rad 文件：521.659 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
ISL70020SEHXSLASHSAMPLE	文件：521.659 Kbytes Page：13 Pages	40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors Features • Very low rDS(ON) 3.5mΩ (typical) • Ultra low total gate charge 19nC (typical) • ISL70020SEH radiation acceptance testing ○ High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si) ○ Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si) • ISL73020SEH radiation acceptance testing ○ Low dose rate (0.01rad 文件：521.659 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
ISL70020SEH	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistor	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

IDS (A)：
65
VGS(TH) (Max) (V)：
2.5
VGS (Max) (V)：
6
RDSON (Typ) (mΩ)：
3.5
QG (nC) typ (nC)：
19
Thermal Resistance θJC (°C/W)：
3.1
High Dose Rate (HDR) (krad (Si))：
100
Low Dose Rate (LDR) (krad (Si))：
75
Lead Count (#)：
4
Pkg. Type：
CLCC
Temp. Range：
-55 to 125°C
Qualification Level：
Modified Class V
Models Available：
SPICE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星辰微电科技有限公司	ISL70020SEH	RENESAS	22+	SOP	15000	瑞萨全系列在售,大代理渠道直供	询价
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更多ISL70020SEH供应商更新时间2025-12-24 11:02:00

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