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ISL70020SEHLSLASHPROTO中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

ISL70020SEHLSLASHPROTO

功能描述

40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors

文件大小

521.659 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-30 20:00:00

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ISL70020SEHLSLASHPROTO规格书详情

特性 Features

• Very low rDS(ON) 3.5mΩ (typical)

• Ultra low total gate charge 19nC (typical)

• ISL70020SEH radiation acceptance testing

○ High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si)

○ Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)

• ISL73020SEH radiation acceptance testing

○ Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)

• SEE hardness (see the SEE report for details)

○ SEL/SEB LETTH (VDS = 40V, VGS = 0V):

86.4MeV•cm2/mg

• Ultra small hermetically sealed 4 Ld Surface Mount

Device (SMD) package

○ Package area: 42mm2

• Full military-temperature range operation

○ TA = -55°C to +125°C

○ TJ = -55°C to +150°C

Applications

• Switching regulation

• Motor drives

• Relay drives

• Inrush protection

• Down hole drilling

• High reliability industrial

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