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IS62WV51216EALL	文件：1.34683 Mbytes Page：18 Pages	512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V—2.2V VDD (62/65WV51216EALL) – 2.2V--3.6V VDD (62/65WV51216EBLL)  Data control for upper and lower bytes  Automotive tempera 文件：1.34683 Mbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV51216EALL	文件：1.35008 Mbytes Page：18 Pages	TTL compatible interface levels 文件：1.35008 Mbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV51216EALL_V01	文件：1.34683 Mbytes Page：18 Pages	512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V—2.2V VDD (62/65WV51216EALL) – 2.2V--3.6V VDD (62/65WV51216EBLL)  Data control for upper and lower bytes  Automotive tempera 文件：1.34683 Mbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV51216EALL-55BI	文件：1.34683 Mbytes Page：18 Pages	512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V—2.2V VDD (62/65WV51216EALL) – 2.2V--3.6V VDD (62/65WV51216EBLL)  Data control for upper and lower bytes  Automotive tempera 文件：1.34683 Mbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV51216EALL-55BLI	文件：1.34683 Mbytes Page：18 Pages	512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V—2.2V VDD (62/65WV51216EALL) – 2.2V--3.6V VDD (62/65WV51216EBLL)  Data control for upper and lower bytes  Automotive tempera 文件：1.34683 Mbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV51216EALL-55TI	文件：1.34683 Mbytes Page：18 Pages	512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V—2.2V VDD (62/65WV51216EALL) – 2.2V--3.6V VDD (62/65WV51216EBLL)  Data control for upper and lower bytes  Automotive tempera 文件：1.34683 Mbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV51216EALL-55TLI	文件：1.34683 Mbytes Page：18 Pages	512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V—2.2V VDD (62/65WV51216EALL) – 2.2V--3.6V VDD (62/65WV51216EBLL)  Data control for upper and lower bytes  Automotive tempera 文件：1.34683 Mbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV51216EALL	文件：300 bytes Page：1 Pages	PowerSaver™ Lower Power Asynchronous SRAM	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV51216EALL-55BLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-VFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS62WV51216EALL-55TLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

技术参数

Organization：
512Kx16
Power Supply：
1.65-2.2
Speed (ns)：
45
Package Pins：
BGA(48)
Temperature Grade：
I
Status：
Prod

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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