IS62WV51216EALL集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	IS62WV51216EALL
参数属性	IS62WV51216EALL 封装/外壳为48-VFBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA
功能描述	512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
封装外壳	48-VFBGA
文件大小	1.34683 Mbytes
页面数量	18 页
生产厂商	ISSI
中文名称	矽成半导体
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2025-11-19 16:30:00
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IS62WV51216EALL规格书详情

FEATURES

 High-speed access time: 45ns, 55ns

 CMOS low power operation

– 36 mW (typical) operating

 TTL compatible interface levels

 Single power supply

–1.65V—2.2V VDD (62/65WV51216EALL)

– 2.2V--3.6V VDD (62/65WV51216EBLL)

 Data control for upper and lower bytes

 Automotive temperature (-40oC to +125oC)

产品属性

产品编号：
IS62WV51216EALL-55BLI-TR
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
8Mb（512K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
55ns
电压 - 供电：
1.65V ~ 2.2V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-VFBGA
供应商器件封装：
48-VFBGA（6x8）
描述：
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA

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