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IS62WV51216EALL-55BI	文件：1.34683 Mbytes Page：18 Pages	512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V—2.2V VDD (62/65WV51216EALL) – 2.2V--3.6V VDD (62/65WV51216EBLL)  Data control for upper and lower bytes  Automotive tempera 文件：1.34683 Mbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV51216EALL-55BLI	文件：1.34683 Mbytes Page：18 Pages	512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V—2.2V VDD (62/65WV51216EALL) – 2.2V--3.6V VDD (62/65WV51216EBLL)  Data control for upper and lower bytes  Automotive tempera 文件：1.34683 Mbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV51216EALL-55TI	文件：1.34683 Mbytes Page：18 Pages	512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V—2.2V VDD (62/65WV51216EALL) – 2.2V--3.6V VDD (62/65WV51216EBLL)  Data control for upper and lower bytes  Automotive tempera 文件：1.34683 Mbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV51216EALL-55TLI	文件：1.34683 Mbytes Page：18 Pages	512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V—2.2V VDD (62/65WV51216EALL) – 2.2V--3.6V VDD (62/65WV51216EBLL)  Data control for upper and lower bytes  Automotive tempera 文件：1.34683 Mbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

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更多IS62WV51216EALL-55BI供应商更新时间2025-11-18 10:31:00

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