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IS61WV20488BLL-10MI	文件：378.63 Kbytes Page：19 Pages	2M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access times: 8, 10, 20 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity • Easy memory expansion with CE and OE options • CE power-down • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compa 文件：378.63 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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