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IS61NLP25636A-200B2LI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：119-BBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61NLP25636A-200B2	文件：261.57 Kbytes Page：37 Pages	256Kx36and512Kx189Mb,PIPELINE(NOWAIT)STATEBUSSRAM DESCRIPTION The9MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas256Kwordsby36bitsand512Kwordsby18bits,fabric	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
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产品属性

产品编号：
IS61NLP25636A-200B2LI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR
存储容量：
9Mb（256K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
119-BBGA
供应商器件封装：
119-PBGA（14x22）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

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