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IS61NLP25636A-200B2	文件：261.57 Kbytes Page：37 Pages	256K x 36 and 512K x 18 9Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM DESCRIPTION The 9 Meg NLP/NVP product family feature high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide a burstable, high-performance, no wait state, device for networking and communications applications. They are organized as 256K words by 36 bits and 512K words by 18 bits, fabric 文件：261.57 Kbytes 页数：37 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61NLP25636A-200B2I	文件：261.57 Kbytes Page：37 Pages	256K x 36 and 512K x 18 9Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM DESCRIPTION The 9 Meg NLP/NVP product family feature high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide a burstable, high-performance, no wait state, device for networking and communications applications. They are organized as 256K words by 36 bits and 512K words by 18 bits, fabric 文件：261.57 Kbytes 页数：37 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61NLP25636A-200B2I-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：119-BBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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详细参数

型号：
IS61NLP25636A-200B2
功能描述：
静态随机存取存储器 8M(256Kx36) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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