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IS61WV12816DBLL-10BLI	文件：272.47 Kbytes Page：21 Pages	128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS61WV12816DAxx/DBxxandIS64WV12816DBxxarehigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMsorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-pe	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
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产品属性

产品编号：
IS61WV12816DBLL-10BLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
2Mb（128K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFBGA
供应商器件封装：
48-TFBGA（6x8）
描述：
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA

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