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IS43DR16128A	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.8V DDR2 SDRAM ·Single supply voltage of 1.8V ± 0.1V\n·SSTL_18 compatible inputs\n·Data masking per byte on Write commands\n·Programmable burst length of 4 or 8\n·Programmable CAS Latency of 3, 4, 5 or 6\n·Auto-Refresh and Self-Refresh Modes\n·OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)\n·ODT (On Die Termination) s	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS43DR16128A	文件：993.62 Kbytes Page：26 Pages	Clock frequency up to 333MHz 文件：993.62 Kbytes 页数：26 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS43DR16128A-3DBLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：84-LFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84LFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43DR16128A-3DBL-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：84-LFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84LFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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更多IS43DR16128A供应商更新时间2026-1-30 11:10:00