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IS43/46DR16640B/L

1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM

FEATURES  Clock frequency up to 400MHz  8 internal banks for concurrent operation  4‐bit prefetch architecture  Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6 and 7  Programmable Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4, 5 and 6  Write Latency = Read Latency‐1  Programmable Burst Sequence: Sequential

文件:548.81 Kbytes 页数:28 Pages

ISSI

矽成半导体

IS43DR81280B-25DBL

BGA60

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

IS43LR16320B-6BL

BGA-60

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

IS43LR16800F-6BLI

BGA60

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矽成半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

IS43TR16128A-15HBLI

BGA

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上传:深圳市宇创芯科技有限公司

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