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IS4346R86400D	文件：1.45655 Mbytes Page：33 Pages	16Mx32, 32Mx16, 64Mx8 512Mb DDR SDRAM FEATURES • VDD and VDDQ: 2.5V ± 0.2V (-6) • VDD and VDDQ: 2.6V ± 0.1V (-5) • SSTL_2 compatible I/O • Double-data rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted/ received with data, to be used in capturing data at the receiver • DQS 文件：1.45655 Mbytes 页数：33 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS4346R86400D	文件：1.46581 Mbytes Page：33 Pages	16Mx32, 32Mx16, 64Mx8 512Mb DDR SDRAM 文件：1.46581 Mbytes 页数：33 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
IS43DR81280B-25DBL	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA60	ISSI 矽成半导体上传：深圳市宇创芯科技有限公司	ISSI
IS43LR16320B-6BL	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA-60	ISSI 矽成半导体上传：深圳市宇创芯科技有限公司	ISSI
IS43LR16800F-6BLI	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA60	ISSI 矽成半导体上传：深圳市宇创芯科技有限公司	ISSI

更多IS4346R86400D供应商更新时间2025-12-8 14:40:00