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IS42SM16160D数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

IS42SM16160D

参数属性

IS42SM16160D 封装/外壳为54-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA

功能描述

Mobile/Low Voltage SDR SDRAM

封装外壳

54-TFBGA

制造商

ISSI Integrated Silicon Solution Inc

中文名称

北京矽成 北京矽成半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 10:58:00

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IS42SM16160D规格书详情

描述 Description

·Synchronous SDRAM interface
·Multiple Supply Voltage options: 1.8V, 2.5V, 3.3V
·Full features of standard SDRAM plus mobile:- Partial Array Self Refresh (PASR)- Temperature Compensated Self Refresh- Selectable Output Driver Strength- Deep Power Down
·Long term support

技术参数

  • 产品编号:

    IS42SM16160D-7BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - 移动

  • 存储容量:

    256Mb(16M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    54-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    54-TFBGA(8x8)

  • 描述:

    IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA

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