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IS42S32800J中文资料SDR SDRAM数据手册ISSI规格书
IS42S32800J规格书详情
描述 Description
·Synchronous, with 3.3V power supply
·LVTTL interface
·Programmable burst length (1, 2, 4, 8, full page)
·Programmable burst sequence: Sequential/Interleave
·Self refresh and Auto Refresh modes
·Random column address every clock cycle
·Programmable CAS latency (2, 3 clocks)
·Burst read/write and burst read/single write
·Long-Term Support
技术参数
- 产品编号：
IS42S32800J-6BLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM
- 存储容量：
256Mb（8M x 32）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
90-TFBGA
- 供应商器件封装：
90-TFBGA（8x13）
- 描述：
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INTEGRATEDSILICONSOLUTION |
9999 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | ||||
ISSI |
22+ |
TSOP86 |
6868 |
全新正品现货 有挂就有现货 |
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ISSI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
ISSI, |
25+ |
25000 |
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ISSI |
FBGA |
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ISSI |
23+ |
TSOP86 |
10800 |
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ISSI |
23+ |
TSOP86 |
20000 |
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NA |
23+ |
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ISSI/芯成 |
22+ |
BGA90 |
18000 |
原装正品 |
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ISSI |
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