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IS42S16800E数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

IS42S16800E

参数属性

IS42S16800E 封装/外壳为54-TFBGA;包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

功能描述

SDR SDRAM

封装外壳

54-TFBGA

制造商

ISSI Integrated Silicon Solution Inc

中文名称

北京矽成 北京矽成半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 12:20:00

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IS42S16800E规格书详情

描述 Description

·Synchronous, with 3.3V power supply
·LVTTL interface
·Programmable burst length (1, 2, 4, 8, full page)
·Programmable burst sequence: Sequential/Interleave
·Self refresh and Auto Refresh modes
·Random column address every clock cycle
·Programmable CAS latency (2, 3 clocks)
·Burst read/write and burst read/single write
·Long-Term Support

技术参数

  • 产品编号:

    IS42S16800E-6BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM

  • 存储容量:

    128Mb(8M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    54-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    54-TFBGA(8x8)

  • 描述:

    IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

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