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IS42S16800E中文资料SDR SDRAM数据手册ISSI规格书
IS42S16800E规格书详情
描述 Description
·Synchronous, with 3.3V power supply
·LVTTL interface
·Programmable burst length (1, 2, 4, 8, full page)
·Programmable burst sequence: Sequential/Interleave
·Self refresh and Auto Refresh modes
·Random column address every clock cycle
·Programmable CAS latency (2, 3 clocks)
·Burst read/write and burst read/single write
·Long-Term Support
技术参数
- 产品编号：
IS42S16800E-6BLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM
- 存储容量：
128Mb（8M x 16）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
54-TFBGA
- 供应商器件封装：
54-TFBGA（8x8）
- 描述：
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
24+ |
TSOP54 |
20000 |
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询价 | ||
ISSI |
23+ |
54-TSOPII |
9231 |
询价 | |||
ISSI |
25+ |
TSOP |
3000 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
INTEGRATEDS |
23+ |
原厂封装 |
9888 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
ISSI |
25+23+ |
TSOP54 |
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绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ISSI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
ISSI |
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TSOP54 |
8000 |
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ISSI |
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ISSI |
23+ |
54-TSOPII |
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ISSI |
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SOP |
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