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IS42S16100C1中文资料512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM数据手册ISSI规格书

厂商型号 |
IS42S16100C1 |
参数属性 | IS42S16100C1 封装/外壳为50-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II |
功能描述 | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
封装外壳 | 50-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
制造商 | ISSI Integrated Silicon Solution, Inc |
中文名称 | 矽成半导体 北京矽成半导体有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 19:00:00 |
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技术参数
- 产品编号:
IS42S16100C1-5TL
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM
- 存储容量:
16Mb(1M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 电压 - 供电:
3V ~ 3.6V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
50-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
- 供应商器件封装:
50-TSOP II
- 描述:
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
24+ |
BGA |
20000 |
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询价 | ||
ISSI |
23+ |
TSOP |
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ISSI |
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ISSI |
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TSOP |
20000 |
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23+ |
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ISSI |
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