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IS42RM32200K-6BLI中文资料IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA数据手册ISSI规格书

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厂商型号

IS42RM32200K-6BLI

参数属性

IS42RM32200K-6BLI 封装/外壳为90-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA

功能描述

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

封装外壳

90-TFBGA

制造商

ISSI Integrated Silicon Solution, Inc

中文名称

矽成半导体 北京矽成半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 20:34:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IS42RM32200K-6BLI

  • 生产厂家

    :ISSI

  • 存储器格式

    :DRAM

  • 技术

    :SDRAM - 移动

  • 存储容量

    :64Mb (2M x 32)

  • 时钟频率

    :166MHz

  • 写周期时间 - 字,页

    :-

  • 访问时间

    :5.5ns

  • 存储器接口

    :并联

  • 电压 - 电源

    :2.3V ~ 2.7V

  • 工作温度

    :-40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :90-TFBGA

  • 供应商器件封装

    :90-TFBGA(8x13)

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