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IS42RM16200D中文资料Mobile/Low Voltage SDR SDRAM数据手册ISSI规格书
| 厂商型号 |
IS42RM16200D |
| 参数属性 | IS42RM16200D 封装/外壳为54-TFBGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC DRAM 32MBIT PARALLEL 54TFBGA |
| 功能描述 | Mobile/Low Voltage SDR SDRAM |
| 封装外壳 | 54-TFBGA |
| 制造商 | ISSI Integrated Silicon Solution, Inc |
| 中文名称 | 矽成半导体 北京矽成半导体有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
| 人工找货 | IS42RM16200D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IS42RM16200D规格书详情
描述 Description
·Synchronous SDRAM interface
·Multiple Supply Voltage options: 1.8V, 2.5V, 3.3V
·Full features of standard SDRAM plus mobile:- Partial Array Self Refresh (PASR)- Temperature Compensated Self Refresh- Selectable Output Driver Strength- Deep Power Down
·Long term support
技术参数
- 产品编号：
IS42RM16200D-6BLI-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM - 移动
- 存储容量：
32Mb（2M x 16）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
2.3V ~ 2.7V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
54-TFBGA
- 供应商器件封装：
54-TFBGA（8x8）
- 描述：
IC DRAM 32MBIT PARALLEL 54TFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美国芯成) |
24+ |
TFBGA54(8x8) |
7350 |
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询价 | ||
ISSI, |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
ISSI/芯成 |
2402+ |
BGA |
8324 |
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询价 | ||
ISSI |
23+ |
BGA |
4500 |
ISSI存储芯片在售 |
询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
2021+ |
TFBGA-54(8x8) |
499 |
询价 | |||
ISSI Integrated Silicon Soluti |
23+ |
54TFBGA |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ISSI |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
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询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
2447 |
TFBGA-54(8x8) |
315000 |
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询价 | ||
ISSI, Integrated Silicon Solu |
23+ |
54-TFBGA8x8 |
7300 |
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询价 | ||
ISSI |
25+ |
8M16MobileSDRAM |
3850 |
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询价 |
