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IS42S86400B中文资料SDR SDRAM数据手册ISSI规格书

厂商型号 |
IS42S86400B |
参数属性 | IS42S86400B 封装/外壳为54-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II |
功能描述 | SDR SDRAM |
封装外壳 | 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
制造商 | ISSI Integrated Silicon Solution, Inc |
中文名称 | 矽成半导体 北京矽成半导体有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
人工找货 | IS42S86400B价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IS42S86400B规格书详情
描述 Description
·Synchronous, with 3.3V power supply
·LVTTL interface
·Programmable burst length (1, 2, 4, 8, full page)
·Programmable burst sequence: Sequential/Interleave
·Self refresh and Auto Refresh modes
·Random column address every clock cycle
·Programmable CAS latency (2, 3 clocks)
·Burst read/write and burst read/single write
·Long-Term Support
技术参数
- 产品编号:
IS42S86400B-7TLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM
- 存储容量:
512Mb(64M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 电压 - 供电:
3V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
- 供应商器件封装:
54-TSOP II
- 描述:
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
24+ |
NA/ |
8417 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ISSI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
ISSI |
24+ |
TSOP54 |
20000 |
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
询价 | ||
ISSI |
748 |
TSSOP54 |
1 |
询价 | |||
ISSI |
2450+ |
TSOP |
9850 |
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询价 | ||
ISSI |
25+23+ |
TSOP54 |
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ISSI |
23+ |
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ISSI |
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ISSI |
25+ |
TSOP-54 |
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ISSI |
24+ |
TSOP54 |
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