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IRS2153D | 600 V 半桥栅极驱动器 IC,带振荡器、集成自举 FET、可编程频率和可编程关断 EiceDRIVER ™自振荡 600 V 半桥栅极驱动器 IC,具有典型的 0.18 A 拉电流和 0.26 A 灌电流,采用 8 引线 PDIP 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也可提供 8 引脚 SOIC 封装。 • 整数。 600 V 半桥驱动器\n • CT、RT 可编程振荡器\n • 15.4V 齐纳钳位 Vcc\n • 微功耗启动\n • CT 引脚上的非锁存关断\n • 内部自举 FET\n • +/- 50 V/ns dV/dt 抗扰度\n • 内部死区时间\n • 典型死区时间 1.1 µs (IRS2153D)\n • 典型死区时间 0.6 µs (IRS21531D); | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
600 V 半桥栅极驱动器 IC,带振荡器、集成自举 FET、可编程频率和可编程关断 自激振荡 600 V 半桥驱动器 IC,具有典型的 0.18 A 拉电流和 0.26 A 灌电流,采用 8 引脚 SOIC 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 PDIP 封装可选。 • 集成 600 V 半桥栅极驱动器\n• CT, RT 可编程振荡器\n• Vcc 上的 15.4 V 齐纳箝位\n• 微功率启动\n• CT 引脚上的非锁定关断特性 (1/6th VCC)\n• 内置自举 PET\n• +/- 50 V/ns 不受 dV/dt 影响\n• 内置死区时间\n• 典型死区时间1.1 µs (IRS2153D) 或 0.6 µs (IRS21531D )\n\n优势:; | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Self-Oscillating Half Bridge Driver, 1.1µs Deadtime in a SO-8 package | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Package:8-DIP(0.300",7.62mm);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- VBS UVLO(On):
9 V
- VCC UVLO(On):
11 V
- VCC UVLO(Off):
9 V
- Voltage Class:
600 V
- Qualification:
Industrial
- Input Vcc:
10.1 V to 15.4 V
- Output Current(Sink):
0.26 A
- Output Current(Source):
0.18 A
- Channels:
2
- Configuration:
Half Bridge
- Isolation Type:
Functional levelshift JI (Junction Isolated)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
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