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IRS2153DS中文资料600 V 半桥栅极驱动器 IC,带振荡器、集成自举 FET、可编程频率和可编程关断数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRS2153DS

参数属性

IRS2153DS 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

600 V 半桥栅极驱动器 IC,带振荡器、集成自举 FET、可编程频率和可编程关断
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 14:46:00

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IRS2153DS规格书详情

描述 Description

自激振荡 600 V 半桥驱动器 IC,具有典型的 0.18 A 拉电流和 0.26 A 灌电流,采用 8 引脚 SOIC 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 PDIP 封装可选。

特性 Features

• 集成 600 V 半桥栅极驱动器
• CT, RT 可编程振荡器
• Vcc 上的 15.4 V 齐纳箝位
• 微功率启动
• CT 引脚上的非锁定关断特性 (1/6th VCC)
• 内置自举 PET
• +/- 50 V/ns 不受 dV/dt 影响
• 内置死区时间
• 典型死区时间1.1 µs (IRS2153D) 或 0.6 µs (IRS21531D )

优势:

简介

IRS2153DS属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的IRS2153DS栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRS2153DS

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Product Status

    :active and preferred/active and preferred

  • Voltage Class

    :600 V

  • Output Current Source

    :0.18 A

  • Output Current Sink

    :0.26 A

  • Channels

    :2

  • Configuration

    :Half Bridge

  • Qualification

    :Industrial

  • Isolation Type

    :Functional levelshift

  • Switch Type

    :IGBT/MOSFET

  • Package name

    :SOIC 8N/SOIC 8N

  • UVLO Input Off

    :9 V

  • UVLO Output Off

    :8 V

  • Input Vcc min

    :10.1 V

  • Input Vcc max

    :15.4 V

  • Output Vbs min

    :9.4 V

  • Output Vbs max

    :15.4 V

  • Rise Time max

    :220 ns

  • Rise Time

    :120 ns

  • Fall Time max

    :80 ns

  • Fall Time

    :50 ns

  • UVLO Input On

    :11 V

  • UVLO Output On

    :9 V

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