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IRLU120NPBF

Advanced Process Technology

文件:275.97 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRLU120N

采用 I-Pak 封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 逻辑电平;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IRLU120NPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    IPAK

  • VDS max:

    100 V

  • RDS (on) @10V max:

    185 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max:

    265 mΩ

  • ID @25°C max:

    10 A

  • QG typ @4.5V:

    13.3 nC

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    1 V

  • VGS(th) max:

    2 V

  • VGS(th):

    1.5 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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