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IRLU120N中文资料采用 I-Pak 封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRLU120N

功能描述

采用 I-Pak 封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 11:10:00

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IRLU120N规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 具有业内先进的品质
• 动态的dv/dt额定值
• 快速开关
• 完全雪崩额定值
• 175°C 的工作温度
• 逻辑电平

技术参数

  • 制造商编号

    :IRLU120N

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRLU120NPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :IPAK

  • VDS max

    :100 V

  • RDS (on) @10V max

    :185 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :265 mΩ

  • ID @25°C max

    :10 A

  • QG typ @4.5V

    :13.3 nC

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :1 V

  • VGS(th) max

    :2 V

  • VGS(th)

    :1.5 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR/VISHAY
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