IRLS640A中文资料功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，A-FET，200 V，9.8 A，180 mΩ，TO-220F数据手册ONSEMI规格书
IRLS640A规格书详情
描述 Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, ad withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters, switch mode power supplies, DC-AC converters for uninterrupted power supply and motor control.
特性 Features
• 9.8 A, 200 VrDS(ON) = 180 mΩ @ VGS = 5 V
• Low Gate Charge (Typ. 40 nC)
• Low Crss (Typ. 95 pF)
• Fast Switching Speed
• 100% AvalancheTested
• Improved dv/dt Capability
• Logic-Level Gate Drive
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：IRLS640A
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：200
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：9.8
- PD Max (W)
：40
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：180
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：5.6
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：40
- Ciss Typ (pF)
：1310
- Package Type
：TO-220-3 FullPak
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHI |
24+ |
TO-220F |
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IR |
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TO-220F |
60000 |
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