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IRLS510A

Advanced Power MOSFET

文件:286.62 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

IRLS510A

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:270.9 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRLS510A

Advanced Power MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

IRLW510A

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:362.05 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRLWI510A

Advanced Power MOSFET

文件:268.75 Kbytes 页数:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

ISOS510-SEP

ISOS510-SEP Radiation Tolerant, Current-Driven Analog Isolator With Transistor Output

1 Features • Radiation Performance – Total Ionizing Dose (TID) Characterized (ELDRS-Free) up to 50krad(Si) – TID RLAT up to 30krad(Si) – Single-Event Latch-up (SEL) Immune to LET up to 43MeV-cm2/mg at 125℃ – Single-event functional interrupt (SEFI) and single-event transient (SET) characte

文件:1.1867 Mbytes 页数:23 Pages

TI

德州仪器

详细参数

  • 型号:

    IRLS510A

  • 功能描述:

    MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi
25+
TO-220F-3
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仙童
06+
TO-220F
3000
原装
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TO-220-3
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23+
TO220
50000
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TO-220F
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原装现货假一罚十
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TO2203
9000
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TO220
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FAIRCHILD
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20000
专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务
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