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IRLU3714PBF	文件：227.62 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20m廓 , ID = 36A ) 文件：227.62 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLU3714Z	文件：259.459 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power ● High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom 文件：259.459 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
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IRLU3714ZPbF	文件：268.42 Kbytes Page：12 Pages	High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power ● High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom 文件：268.42 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRLU3714PBF
功能描述：
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 6.5nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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