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IRLU3303

PowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRLU3303

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IRLU3303PBF

HEXFETPowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewell

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

J3303

SiliconP-channelMOSFET

SiliconP-channelMOSFET Forswitchingcircuits Overview FJ330301isP-channelsmallsignalMOSFETemployedsmallsizesurfacemountingpackage. Features ●Lowdrain-sourceONresistance:RDS(on)typ.=4Ω(VGS=-4.0V) ●High-speedswitching ●Smallsizesurfacemountingpackage:SSSMi

PanasonicPanasonic Corporation

松下松下电器

J3303

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

GTM

勤益投資控股股份有限公司

KA3303

QuadOperationalAmplifier

Description TheKA3303seriesisamonolithicQuadoperationalamplifierconsistingoffourindependentamplifiers.Thedevicehashighgain,internallyfrequency,compensatedoperationalamplifiersdesignedtooperatefromasinglepowersupplyordualpowersuppliesoverawiderangeofvoltage

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

KA3303D

QuadOperationalAmplifier

Description TheKA3303seriesisamonolithicQuadoperationalamplifierconsistingoffourindependentamplifiers.Thedevicehashighgain,internallyfrequency,compensatedoperationalamplifiersdesignedtooperatefromasinglepowersupplyordualpowersuppliesoverawiderangeofvoltage

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

KNG3303A

90A竊?0VN-CHANNELMOSFET

KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

KNX3303A

90A竊?0VN-CHANNELMOSFET

KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

KNY3303A

90A竊?0VN-CHANNELMOSFET

KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

KSMD3303

Lowgatecharge.

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KSMU3303

Greendeviceavailable.

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

LL3303

N-Channel30V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •AEC-Q101Qualifiedc •100RgandUISTested

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

LM3303

QuadOperationalAmplifiers

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LM3303J

QuadOperationalAmplifiers

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LM3303M

QuadOperationalAmplifiers

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LM3303N

QuadOperationalAmplifiers

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LP3303

HighPerformance,ConstantCurrentSwitchingRegulatorFor9PCSWhiteLED

POWERLowpower Semiconductor inc

微源半导体微源半导体股份有限公司

LU3303

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

M3303

TiteLiquidTightCordgrips

Heyco

Heyco

详细参数

  • 型号:

    IRLR3303TRL

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 35A DPAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
07+
TO-252
36800
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DPAK(TO-
55000
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D-Pak
3000
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!
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TO-252
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DPAK
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NA
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DPAK(TO-
10000
原装现货假一罚十
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