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GI3303	文件：286.38 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GJ3303	文件：244.69 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GPD-3303D	文件：2.9856 Mbytes Page：2 Pages	MULTIPLEOUTPUTPROGRAMMABLELINEARD.C.POWERSUPPLY FEATURES 2,3,and4IndependentsolatedOutput 4LEDDisplaySets:3DigitsAfter DecimalPoint(GPD-23035/33035/43035) MinimumResolution: ‘GPD-23035/33035/43035(1mV/1mA) ‘GPD-3303D(100mV/10mA) DigitalPanelControl(RotaryEncoder Switch,RubberKeyWithIndicator) *User-frien	GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 好威仪器股份好威仪器股份有限公司	GWINSTEK
GPD3303S	文件：2.9856 Mbytes Page：2 Pages	MULTIPLEOUTPUTPROGRAMMABLELINEARD.C.POWERSUPPLY FEATURES 2,3,and4IndependentsolatedOutput 4LEDDisplaySets:3DigitsAfter DecimalPoint(GPD-23035/33035/43035) MinimumResolution: ‘GPD-23035/33035/43035(1mV/1mA) ‘GPD-3303D(100mV/10mA) DigitalPanelControl(RotaryEncoder Switch,RubberKeyWithIndicator) *User-frien	GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 好威仪器股份好威仪器股份有限公司	GWINSTEK
GPS-3303	文件：142.09 Kbytes Page：1 Pages	195WATTLINEAR	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
GPS-3303	文件：127.58 Kbytes Page：1 Pages	MULTIPLEOUTPUTLINEARD.C.POWERSUPPLY	GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 好威仪器股份好威仪器股份有限公司	GWINSTEK
IIRLR3303	文件：335.28 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IRFR3303PBF	文件：251.95 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRFU3303	文件：876.94 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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详细参数

型号：
IRLR3303TRL
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IRLR3303TRL	IR	07+	TO-252	36800		询价
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