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AN1902	文件：1.37814 Mbytes Page：32 Pages	DEVICESTODRIVE58WTLTUBES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
AS1902	文件：673.22 Kbytes Page：10 Pages	UltraLow-PowerPSupervisoryCircuit	AMSCO austriamicrosystems AG	AMSCO
AS1902	文件：213.69 Kbytes Page：9 Pages	UltraLow-PoweruPSupervisoryCircuit	AMSCO austriamicrosystems AG	AMSCO
AS1902	文件：76.41 Kbytes Page：9 Pages	UltraLow-PoweruPSupervisoryCircuit GeneralDescription TheAS1901/2/3familyisanultralow-powersupervisorycircuitdevice. Thedevicecanbeusedtomonitorthesupplyvoltageofdigitalsystemsandmicroprocessorsandinitiatearesetwhenthevoltagegoesbelowapredefinedthreshold. Thedurationoftheresetis5/20/100/	AMSCO austriamicrosystems AG	AMSCO
BFCG-1902	文件：361.18 Kbytes Page：3 Pages	BandpassFilter	MINIMini-Circuits 微型电路	MINI
BFCG-1902+	文件：361.18 Kbytes Page：3 Pages	BandpassFilter	MINIMini-Circuits 微型电路	MINI
ENA1902A	文件：219.08 Kbytes Page：14 Pages	Multi-PowerSupplySystemICforCarAudioSystems	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
F1902	文件：1.05991 Mbytes Page：9 Pages	PushbuttonSwitches	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
F-1902	文件：40.6 Kbytes Page：1 Pages	CommonModeChoke	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
F-1902G	文件：40.6 Kbytes Page：1 Pages	CommonModeChoke	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
HDMR1902SSM	文件：334.88 Kbytes Page：1 Pages	HIGHSPEEDI/ORECEPTACLES	SamtecSamtec Inc. 申泰	Samtec
IRF1902	文件：107.28 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=20V) Description TheseN-ChannelHEXFETpowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplicati	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1902PBF	文件：134.34 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheseN-ChannelHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplicati	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1902TRPBF	文件：139.79 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-ChannelHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplicati	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLMS1902	文件：187.62 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLMS1902PBF	文件：197.07 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLMS1902PBF	文件：197.07 Kbytes Page：8 Pages	GENERATIONVTECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
ISL1902	文件：872.58 Kbytes Page：25 Pages	Full-Featured,DimmableACMainsLEDDriverwithPFC	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ISL1902	文件：1.35371 Mbytes Page：25 Pages	Full-Featured,DimmableACMainsLEDDriverwithPFC	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL1902FAZ	文件：1.35371 Mbytes Page：25 Pages	Full-Featured,DimmableACMainsLEDDriverwithPFC	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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详细参数

型号：
IRLMS1902TRPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 20V 3.2A 100mOhm 4.7nC LogLvl
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRLMS1902TRPBF供应商更新时间2024-5-22 18:48:00

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