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IRLML6402PBF-1_15	文件：193.13 Kbytes Page：8 Pages	Compatible with Existing Surface Mount Techniques 文件：193.13 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLML6402TR	文件：140.68 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：140.68 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRLML6402TRPBF	文件：2.68409 Mbytes Page：36 Pages	Gigabit Ethernet Switch Evaluation Board 文件：2.68409 Mbytes 页数：36 Pages	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
IRLML6402TRPBF	文件：123.31 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：123.31 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLML6402TRPBF	文件：278.64 Kbytes Page：2 Pages	HEXFETPower MOSFET 文件：278.64 Kbytes 页数：2 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
IRLML6402TRPBF	文件：1.0825 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：1.0825 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRLML6402TRPBF.	文件：81.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：81.91 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRLML6402TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SOT23
VDS max：
-20 V
RDS (on) @4.5V max：
65 mΩ
ID @25°C max：
-3.7 A
QG typ @4.5V：
8 nC
Special Features：
Small Power
Polarity：
P
VGS(th) min：
-0.4 V
VGS(th) max：
-1.2 V
VGS(th)：
-0.55 V
Technology：
IR MOSFET™

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更多IRLML6402供应商更新时间2026-1-18 14:01:00

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