| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRLML6344 | IRLML6344 Features VDS (V) = 30V RDS(ON) 29m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 37m (VGS = 2.5V) Application(s) Load/ System Switch 文件:392.93 Kbytes 页数:8 Pages | UMW 友台半导体 | UMW | |
IRLML6344 | 丝印:UBNH0;Package:SOT-23;Load/ System Switch Features VDS (V) = 30V RDS(ON) 文件:442.86 Kbytes 页数:8 Pages | UMW 友台半导体 | UMW | |
IRLML6344 | EVVOSEMI 翊欧 | EVVOSEMI | ||
IRLML6344 | 30V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET,采用 SOT-23 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 符合行业标准的引脚\n• 与现有表面封装技术兼容\n• MSL1 合格\n• SOT-23 封装; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
IRLML6344 | N-Channel MOSFET | XW 芯微半导体 | XW | |
Load/ System Switch Features VDS (V) = 30V RDS(ON) 文件:442.86 Kbytes 页数:8 Pages | UMW 友台半导体 | UMW | ||
丝印:A19T;Package:SOT23;P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features ® Vos =-30Vlo = 424 Rosin 文件:2.60787 Mbytes 页数:6 Pages | TECHPUBLIC 台舟电子 | TECHPUBLIC | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件:1.07137 Mbytes 页数:9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
HEXFETPower MOSFET 文件:244.62 Kbytes 页数:10 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard SOT-23 Package 文件:210.73 Kbytes 页数:10 Pages | IRF | IRF |
技术参数
- OPN:
IRLML6344TRPBF
- Qualification:
Non-Automotive
- Package name:
SOT23
- VDS max:
30 V
- RDS (on) @4.5V max:
29 mΩ
- ID @25°C max:
5 A
- QG typ @4.5V:
6.8 nC
- Special Features:
Small Power
- Polarity:
N
- VGS(th) min:
0.5 V
- VGS(th) max:
1.1 V
- VGS(th):
0.8 V
- Technology:
IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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