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IRLML5103TRPBF	文件：1.52611 Mbytes Page：4 Pages	丝印：P3SE；Package：SOT23；P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs Application @Batery protection @Load switch @Power management 文件：1.52611 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
IRLML5103TRPBF	文件：222.92 Kbytes Page：8 Pages	generation v technology 文件：222.92 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLML5103TRPBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 Micro 3 封装的 -30V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
KTC5103D	文件：400.7 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT) LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT FEATURES • High Power Dissipation : PC=1.3W(Ta=25°C) • Complementary to KTA1385D/L 文件：400.7 Kbytes 页数：3 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KTC5103L	文件：400.7 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT) LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT FEATURES • High Power Dissipation : PC=1.3W(Ta=25°C) • Complementary to KTA1385D/L 文件：400.7 Kbytes 页数：3 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KTC5103L	文件：323.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 60V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.3V(Max) @IC= 2A APPLICATIONS · Designed for power amplifier applications 文件：323.85 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

OPN：
IRLML5103TRPBF-1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SOT23
VDS max：
-30 V
RDS (on) @10V max：
600 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
1000 mΩ
ID @25°C max：
-0.76 A
QG typ @10V：
3.4 nC
Special Features：
Small Signal
Polarity：
P
VGS(th) min：
-1 V
Technology：
IR MOSFET™

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更多IRLML5103TRP供应商更新时间2025-12-16 11:03:00

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