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KTC5103L	文件：323.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 60V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.3V(Max) @IC= 2A APPLICATIONS · Designed for power amplifier applications 文件：323.85 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KTC5103L	文件：304.8 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 60V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.3V(Max) @IC= 2A APPLICATIONS · Designed for power amplifier applications 文件：304.8 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KTC5103L	文件：400.7 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT) LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT FEATURES • High Power Dissipation : PC=1.3W(Ta=25°C) • Complementary to KTA1385D/L 文件：400.7 Kbytes 页数：3 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KTC5103L-251	文件：323.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 60V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.3V(Max) @IC= 2A APPLICATIONS · Designed for power amplifier applications 文件：323.85 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KTC5103L-252	文件：304.8 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 60V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.3V(Max) @IC= 2A APPLICATIONS · Designed for power amplifier applications 文件：304.8 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KTC5103L-126	文件：147.27 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：147.27 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KTC5103L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Switching Transistor, IPAK, 60V, 5A • Low Leakage Current\n• Low Saturation Voltage\n• Suitable for using Switching application;	KEC	KEC

技术参数

AEC-Q：
N
Package：
IPAK
Polarity：
NPN
VCEO[V]：
60
IC[A]：
5
PC[W]：
15
hFE_Min：
160
hFE_Max：
400
VCE(SAT)_MAX[V]：
0.3

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