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IRLI640	文件：332.52 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=9.9A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ●IsolatedPackage ●HighVoltageIsolation=2.5KVRMS ●SinktoLeadCreepageDist.4.8mm ●	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLI640G	文件：332.52 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=9.9A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ●IsolatedPackage ●HighVoltageIsolation=2.5KVRMS ●SinktoLeadCreepageDist.4.8mm ●	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLI640A	文件：274.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLI640G	文件：1.72701 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLI640G	文件：1.71741 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLI640G	文件：1.05719 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLI640G_17	文件：1.71741 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLI640G_V01	文件：1.05719 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLI640GPBF	文件：1.37307 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLI640GPBF	文件：1.72701 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLI640GPBF	文件：1.05719 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
640	文件：113.57 Kbytes Page：1 Pages	MINIATUREFUSEHOLDERS	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
640	文件：141.46 Kbytes Page：3 Pages	QuartzStability	OSCILENT Oscilent Corporation	OSCILENT
640	文件：567.23 Kbytes Page：6 Pages	3M??Scotch짰TransparentFilmTape640	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
640A	文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages	PULSETRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
640B	文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages	PULSETRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
640C	文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages	PULSETRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AD640	文件：240 Kbytes Page：16 Pages	DC-CoupledDemodulating120MHzLogarithmicAmplifier PRODUCTDESCRIPTION TheAD640isacompletemonolithiclogarithmicamplifier.AsingleAD640providesupto50dBofdynamicrangeforfrequenciesfromdcto120MHz.TwoAD640sincascadecanprovideupto95dBofdynamicrangeatreducedbandwidth.TheAD640usesasuccessivedetectionscheme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD640	文件：278 Kbytes Page：16 Pages	DC-CoupledDemodulating120MHzLogarithmicAmplifier PRODUCTDESCRIPTION TheAD640isacompletemonolithiclogarithmicamplifier.AsingleAD640providesupto50dBofdynamicrangeforfrequenciesfromdcto120MHz.TwoAD640sincascadecanprovideupto95dBofdynamicrangeatreducedbandwidth.TheAD640usesasuccessivedetectionscheme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD640B	文件：278 Kbytes Page：16 Pages	DC-CoupledDemodulating120MHzLogarithmicAmplifier PRODUCTDESCRIPTION TheAD640isacompletemonolithiclogarithmicamplifier.AsingleAD640providesupto50dBofdynamicrangeforfrequenciesfromdcto120MHz.TwoAD640sincascadecanprovideupto95dBofdynamicrangeatreducedbandwidth.TheAD640usesasuccessivedetectionscheme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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详细参数

型号：
IRLI640
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	IRLI640	IRF	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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