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IRLI640	文件：332.52 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=9.9A) Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. ● Isolated Package ● High Voltage Isolation = 2.5KVRMS ● Sink to Lead Creepage Dist. 4.8mm ● 文件：332.52 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLI640	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=9.9A)	Infineon 英飞凌	Infineon
IRLI640G	文件：332.52 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=9.9A) Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. ● Isolated Package ● High Voltage Isolation = 2.5KVRMS ● Sink to Lead Creepage Dist. 4.8mm ● 文件：332.52 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLI640A	文件：274.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：274.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRLI640G	文件：1.05719 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：1.05719 Mbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLI640G	文件：1.72701 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：1.72701 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLI640G	文件：1.71741 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：1.71741 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLI640G_17	文件：1.71741 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：1.71741 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLI640G_V01	文件：1.05719 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：1.05719 Mbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLI640GPBF	文件：1.72701 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：1.72701 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

详细参数

型号：
IRLI640
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRLI640供应商更新时间2025-12-23 14:00:00

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