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IRL7486M中文资料采用 DirectFET ™ ME 封装的 40V 单 N 沟道逻辑电平 StrongIRFET ™功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRL7486M

功能描述

采用 DirectFET ™ ME 封装的 40V 单 N 沟道逻辑电平 StrongIRFET ™功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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IRL7486M规格书详情

特性 Features


优势:
• Optimized for broadest availability from distribution partners
• Product qualification according to JEDEC standard
• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)
• Silicon optimized for applications switching below <100KHz
• Softer body-diode compared to previous silicon generation
• Dual-side cooling capability
• Low package height of 0.7mm
• Low parasitic (1-2 nH) inductance package
• 100% lead-free (No RoHS exemption)

技术参数

  • 制造商编号

    :IRL7486M

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRL7486MTRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :DirectFET ME (MG-WDSON-8)

  • VDS max

    :40 V

  • RDS (on) @10V max

    :1.25 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :2 mΩ

  • ID @25°C max

    :209 A

  • QG typ @4.5V

    :76 nC

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :1 V

  • VGS(th) max

    :2.5 V

  • VGS(th)

    :1.8 V

  • Technology

    :StrongIRFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
7238
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Infineon(英飞凌)
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100000
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