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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
抗辐射 MOSFET IRHNMC57110SCS R5 MOSFET 是一款专为空间应用而设计的抗辐射设备。它具有 100V、6.9A 容量和低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低 DC-DC 转换器和电机控制等高速开关应用中的功率损耗。已验证的单粒子效应 (SEE) 特性高达 80MeV·cm2/mg 的 LET。在 SMD-0.2该封装件被 QIRL 归类为可用于航天器应用。 | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Simple Drive Requirements 文件：181.3 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28), 100V, Quad N-CHANNEL 文件：122.44 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
Simple Drive Requirements 文件：181.48 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036) 文件：112.55 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
Simple Drive Requirements 文件：219.14 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF |
技术参数
- ID (@100°C) max：
4.4 A
- ID (@25°C) max：
6.9 A
- QG：
15 nC
- QPL Part Number：
2N7503U8
- RDS (on)(@25°C) max：
220 mΩ
- TIDmax：
100 Krad(Si)
- VBRDSSmin：
100 V
- VFmax：
1.2 V
- Product Category：
Rad hard MOSFETS
- Optional TID Rating(kRad(si))：
100 300
- Package：
SMD-0.2
- Polarity：
N
- Generation：
R5
- Voltage Class：
100 V
- Die Size：
1
- Qualification：
QIRL
- Language：
SPICE
- Configuration：
Discrete
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
询价 | |||
IR |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | |||
IR |
23+ |
7000 |
询价 | ||||
IRHT |
25+ |
SIP |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 | ||
IR |
24+ |
ZIP-12 |
36500 |
原装现货/放心购买 |
询价 |
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更新时间2026-2-4 14:00:00
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