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IRHNM57110

RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.2)

文件:226.58 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRHNM57110

Simple Drive Requirements

文件:219.14 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRHNM57110

抗辐射 MOSFET

\n优势:;

Infineon

英飞凌

IRHNM57110_15

Simple Drive Requirements

文件:219.14 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRHNM57110SCS

抗辐射 MOSFET

抗辐射 R5 N 沟道 MOSFET IRHNM57110SCS 采用 SMD-0.2封装该单个 MOSFET 的额定电压为 100V,额定电流为 6.9A,非常适合空间应用。其电气性能高达100krad(TID),并达到QIRL分类。低 RDS(on) 和低栅极电荷的组合使其成为 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择。

Infineon

英飞凌

技术参数

  • ID (@100°C) max:

    4.4 A

  • ID (@25°C) max:

    6.9 A

  • QG:

    15 nC

  • QPL Part Number:

    2N7503U8

  • RDS (on)(@25°C) max:

    220 mΩ

  • TIDmax:

    100 Krad(Si)

  • VBRDSSmin:

    100 V

  • VFmax:

    1.2 V

  • Product Category:

    Rad hard MOSFETS

  • Optional TID Rating(kRad(si)):

    100 300

  • Package:

    SMD-0.2

  • Polarity:

    N

  • Generation:

    R5

  • Voltage Class:

    100 V

  • Die Size:

    1

  • Qualification:

    QIRL

  • Language:

    SPICE

  • Configuration:

    Discrete

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
23+
480
原装部份现货
询价
INFINEON
23+
SMD-0.2
8000
专注配单,只做原装进口现货
询价
INFINEON
23+
SMD-0.2
7000
询价
IR
22+
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
询价
更多IRHNM57110供应商 更新时间2026-1-15 17:06:00