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|---|---|---|---|---|
IRHG57110 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036) 文件：112.55 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | |
IRHG57110 | Simple Drive Requirements 文件：181.48 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | |
IRHG57110 | 抗辐射 MOSFET IRHG567110 是采用 MO-036AB 封装的 R5、抗辐射、100V 四 N 沟道 MOSFET。该 MOSFET 的电气性能高达 100krad(Si) TID，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用，具有低 RDS(on) 和低总栅极电荷。MOSFET 具有开关速度快、温度稳定等优点，可靠地适用于太空应用。 | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
Simple Drive Requirements 文件：181.48 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
抗辐射 MOSFET \n优势:; | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- ID (N-CH @100°C) max：
1 A
- ID (N-CH @25°C) max：
1.6 A
- QG：
17 nC
- RDS (on)(N-CH @25°C) max：
290 mΩ
- VBRDSSmin：
100 V
- Product Category：
Rad hard MOSFETS
- Optional TID Rating(kRad(si))：
300 500 1000
- Package：
MO-036AB
- Polarity：
N
- Generation：
R5
- Voltage Class：
100 V
- Die Size：
1
- Qualification：
COTS
- Language：
SPICE
- Configuration：
Quad
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
7000 |
询价 | ||||
IR |
22+ |
MO-036AB |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
询价 | ||
IR |
24+ |
N/A |
90000 |
原厂正规渠道现货、保证原装正品价格合理 |
询价 | ||
IR |
24+ |
12 |
全新原装 |
询价 | |||
IR |
18+ |
原厂原装假一赔十 |
38 |
原厂很远现货很近,找现货选星佑电子,原厂原装假一赔 |
询价 |
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更新时间2025-12-10 15:01:00
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