IRHG57110中文资料抗辐射 MOSFET数据手册Infineon规格书
IRHG57110规格书详情
描述 Description
IRHG567110 是采用 MO-036AB 封装的 R5、抗辐射、100V 四 N 沟道 MOSFET。该 MOSFET 的电气性能高达 100krad(Si) TID，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用，具有低 RDS(on) 和低总栅极电荷。MOSFET 具有开关速度快、温度稳定等优点，可靠地适用于太空应用。
技术参数
- 制造商编号
：IRHG57110
- 生产厂家
：Infineon
- ID (N-CH @100°C) max
：1 A
- ID (N-CH @25°C) max
：1.6 A
- QG
：17 nC
- RDS (on)(N-CH @25°C) max
：290 mΩ
- VBRDSSmin
：100 V
- Product Category
：Rad hard MOSFETS
- Optional TID Rating(kRad(si))
：300 500 1000
- Package
：MO-036AB
- Polarity
：N
- Generation
：R5
- Voltage Class
：100 V
- Die Size
：1
- Qualification
：COTS
- Language
：SPICE
- Configuration
：Quad
